Цитата
Там напряжения намного ниже, порядка 3-5V, технология тоже другая.
Мнение эксперта из интел?
Цитата
Инсайд инфа от велосипедиста? Вы хоть бы про автора прочитали. Чувак натягал какой то информации из не пойми каких источников. Чесно
ZAQ, меня уже малость коробит от Вашей "не проверенной" информации, вырваной из какого то контекста, не касающейся проблематики. То у вас КПД низкочастотного трансформатора выше, то ИИП только для зарядки батарей...вы не думаете, что кто то после Вас это будет читать потом, и у него тоже сложится не верная точка зрения о ситуации?
Всеми любимая википедия - такое же место инсайд инфы, но по крайней мере в этой статье не соврали, специально для Вас,
ZAQ:
Изменение заряда сопряжено с накоплением необратимых изменений в структуре и потому количество записей для ячейки флеш-памяти ограничено. Типичные количества циклов стирания-записи составляют от десятков и сотен тысяч до тысячи или менее, в зависимости от типа памяти и технологического процесса. Гарантированный ресурс значительно более низок при хранении нескольких бит в ячейке (MLC и TLC) и при использовании техпроцессов класса "30 нм" и более современных.
Одна из причин деградации — невозможность индивидуально контролировать заряд плавающего затвора в каждой ячейке. Дело в том, что запись и стирание производятся над множеством ячеек одновременно — это неотъемлемое свойство технологии флеш-памяти. Автомат записи контролирует достаточность инжекции заряда по референсной ячейке или по средней величине. Постепенно заряд отдельных ячеек рассогласовывается и в некоторый момент выходит за допустимые границы, которые может скомпенсировать инжекцией автомат записи и воспринять устройство чтения. Понятно, что на ресурс влияет степень идентичности ячеек. Одно из следствий этого — с уменьшением топологических норм полупроводниковой технологии создавать идентичные элементы все труднее, поэтому вопрос ресурса записи становится все острее.
Другая причина — взаимная диффузия атомов изолирующих и проводящих областей полупроводниковой структуры, ускоренная градиентом электрического поля в области кармана и периодическими электрическими пробоями изолятора при записи и стирании. Это приводит к размыванию границ и ухудшению качества изолятора, уменьшению времени хранения заряда.
Я вам выделю, что бы Вы не утонули в тонне текста
это особенность технологии памяти Flash, и с вашими догадками о старении оксидной пленки, и прочих глупостях - здесь нет ничего общего.
Не хочу грубить, но видит Бог, если вы не понимаете о чем идет речь - лучше промолчите, а не показывайте свою глупость, ато вы так громко высказываетесь, о чем не понимаете, или только догадываетесь.
KMG, статья малость однобокая, заголовок с "желтой прессы", в плане критики процитирую слова из песни Ленинград - ЗОЖ
Если в башне поебень, хоть ебень хоть не ебень
Ежедневно перечитываю тонный информации связанной с работой, телек не смотрю - свежий взгляд на вещи каждый день)
а сегодня качественно играть на гитаре могут не только лишь все... мало кто может...